9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGP30A-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGP30A-E3/54参考价格为0.56446美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGP30A-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD。您可以下载RGP30A-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RGP25M-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.045151盎司的包装，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于DO-201AD、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为2.5A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2.5 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为500ns。
RGP25MHE3/54是DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201，包括1.3V@2.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及500ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
RGP30A，带有VISHAY制造的电路图。RGP30A在DO-201AD封装中提供，是二极管、整流器-单体的一部分。
