9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V8P12HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V8P12HM3_A/H参考价格$0.30030。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V8P12HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A。您可以下载V8P12HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V8P10-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商品名，该设备也可以用作TO-277、3-PowerDFN封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-277A（SMPC），配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为70μa@100V，电压正向Vf Max If为680mV@8A，电压DC反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为8A，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为0.68 V，Ir反向电流为70 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
带用户指南的V8P12HM3_A/H，包括840mV@8A正向电压Vf Max。如果设计用于120V直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为300μa@120V，电流平均整流Io为8A。
带电路图的V8P12HM3_A/I，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在300μA@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为840mV@8A。
