9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI1401-E3/45,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GI1401-E3/45参考价格为0.52982美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI1401-E3/45封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC。您可以下载GI1401-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI1-1600GPHE3/54是DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AC,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-204AC、DO-15、轴向,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-204A C(DO-15),以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该设备也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@1600V,该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If,该器件具有1600V(1.6kV)电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为1.5μs,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
GI1-1600GPHE3/73是DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AC,包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1600V(1.6KV)直流反向电压Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-204AC(DO-15),其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),以及1.5μs的反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为DO-204AC、DO-15、轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为10μa@1600V,电流平均整流Io为1A。
GI1182-R,电路图由GTM制造。GI1182-R采用TO-251封装,是IC芯片的一部分。