9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GIB1404-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GIB1404-E3/81参考价格0.77790美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GIB1404-E3/81包装/规格:DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB。您可以下载GIB1404-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GIB1403HE3/81是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB,包括超快速恢复整流器产品,它们设计为使用胶带和卷轴(TR)交替包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.056438盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计为在to-263-3、D2Pak(2引线+标签)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备的快速恢复速度为200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@150V,正向电压Vf Max If为975mV@8A,直流反向电压Vr Max为150V,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为35ns,它的工作温度结范围为-65°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C,Vf正向电压为0.975 V,Vr反向电压为150 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为8 A,最大浪涌电流为125 A,恢复时间为35 ns。
GIB1403-E3/81是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB,包括150 V Vr反向电压,它们设计为以975mV@8A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于150V的直流反向电压Vr Max,其提供Vf正向电压功能,例如0.975 V,单位重量设计为0.056438盎司,以及to-263AB供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为35ns,该设备以35ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为磁带和卷轴(TR),包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结区范围为-65°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-65℃,最大浪涌电流为125 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为8 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μA@150V,电流平均整流Io为8A,配置为单双阴极。
GIB1403HE3/45是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及to-263-3,D2Pak(2引线+标签),TO-263AB包装盒,该设备也可作为管替代包装包装使用。此外,反向恢复时间trr为35ns,该设备以快速恢复=200mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-263AB,电压DC反向Vr Max为150V,电压正向Vf Max If为975mV@8A。