9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG22D-M3/TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG22D-M3/TR3参考价格为0.18975美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG22D-M3/TR3封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2A DO214AC。您可以下载BYG22D-M3/TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG22DHM3/TR是DIODE AVLANCHE 200V 2A DO214AC，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表说明中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.1V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BYG22DHM3/TR3，带用户指南，包括1.1V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为2A。
BYG22D-M3/TR是二极管AVLANCHE 200V 2A DO214AC，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC，SMA包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A。
