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DNA30E2200FE是DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC，包括DNA30E2200系列，它们设计用于管式包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-55 C至+175 C，包装箱设计用于to-251-2、IPak以及通孔安装类型，该设备也可以用作i4 PAC供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有40μa@2200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.25V@30A，电压直流反向Vr Max为2200V（2.2kV），电流平均整流Io为30A，电容Vr F为7pF@700V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.22 V，Ir反向电流为1.5 mA，如果正向电流为30 A，最大浪涌电流为370 A。
DNA30E2200PA是DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC，包括1.26V@30A电压正向Vf Max。如果它们设计用于2200V（2.2KV）电压直流反向Vr Max，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1.26V，提供单位重量功能，如0.081130盎司。供应商设备包设计用于to-220AC，以及标准恢复＞500ns，＞200mA（Io）速度，该设备也可以用作DNA30E2200系列。此外，包装为管式，该设备采用TO-220-2包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最大浪涌电流为400 A，Ir反向电流为40 uA，如果正向电流为30 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为40μA@2200V，电流平均整流Io为30A，电容Vr F为7pF@700V，1MHz。
DNA30E2200PC是DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263，包括7pF@700V，1MHz电容Vr F，它们设计用于30A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于40μa@2200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的TO-263（D2Pak），电压DC反向Vr Max为2200V（2.2kV），电压正向Vf Max If为1.26V@30A。
