9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR35100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR35100参考价格为15.23544美元。GeneSiC半导体MBR35100封装/规格：二极管肖特基100V 35A DO4。您可以下载MBR35100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR350RLG是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD，包括MBR350系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为600μa@50V，电压正向Vf Max If为740mV@3A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，在9.4 A时Vf正向电压为1.08 V，Ir反向电流为600 uA，If正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为50 V，Ifsm正向浪涌电流为80 A。
MBR350RL是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD，包括740mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有600μa@50V的反向电流泄漏Vr，电流平均整流Io为3A。
MBR350是ON公司生产的二极管肖特基50V 3A 2针外壳C-16散装。MBR350可在DO-201AD封装中获得，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管肖特基50 V 3A 2引脚外壳C-16。
