9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S6GR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S6GR价格参考3.86250美元。GeneSiC Semiconductor S6GR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4。您可以下载S6GR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S6F是SWITCH TOGGLE DPDT 20A 125V，包括S系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供部件别名功能，如S-6A-FOJ，安装样式设计用于面板，以及20A（AC/DC）额定电流，该设备也可作为快速连接-0.250”（6.3mm）终端类型使用，其工作温度范围为-65 C至+175 C，该设备采用轴向封装外壳，该设备具有安装型面板安装，供应商设备封装为轴向，配置为单一，速度快速恢复=20mA（Io），电路为DPDT，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为27pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，AC额定电压为125V，DC额定电压为30V，致动器类型为标准圆形，照明为非照明，触点形式为DPDT，面板切口尺寸为圆形-12.50mm直径，开关功能开启，致动器长度为17.50mm，衬套螺纹为，触点镀层为银，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，套管尺寸为M12，致动器为Bat，寿命为25000次，端子密封件密封，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为250ns。
S6G是DIODE GEN PURP 400V 6A DO4，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S6，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为167 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，电流平均整流Io为6A。
S6-FAN是喷嘴风扇。347“X.03”SMT-1060，包括与相关产品一起使用的SMT-1160，其设计用于0.03“T X 0.347”L（0.76mm X 8.8mm）的叶尖尺寸。
