9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S6MR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。S6MR价格参考3.86250美元。GeneSiC半导体S6MR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4。您可以下载S6MR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S6MR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S6M是DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL，包括S6系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65 C至+175 C，该装置也可用作轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-4供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为23pF@5V，1MHz，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为1000V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为6A，最大浪涌电流为167A，恢复时间为2us。
S6KR是DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S6，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为167 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，则反向极性，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，电流平均整流Io为6A。
S6L-5233322WP是电气外壳WaterRst Wallplt ASA 5.18x3.25x2.12灰色，包括灰色，设计用于9.66 mm高，IP等级如数据表注释所示，用于IP67，提供144.78 mm等长度特性，材料设计用于丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯（ASA），以及6 NEMA等级，该装置也可以用作散装包装。此外，零件别名为S-523322，该设备在电气箱产品中提供，该设备具有S-523322系列，类型为耐候型，宽度为92.97 mm。
