9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S6QR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S6QR价格参考3.86250美元。GeneSiC半导体S6QR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4。您可以下载S6QR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S6N1RP是SCR NON-SENS 600V 1A TO-214，包括SxN1系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB（3引线）、Compak，其工作温度范围为-40°C~125°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Compak，该设备提供30mA电流保持Ih Max，该设备具有600V电压关断状态，电压门触发器Vgt Max为1.5V，电流门触发器Igt Max为10mA，电压开状态Vtm Max为1.6V，电流开状态It AV Max为640mA，电流开态It RMS Max为1A，电流关断状态Max为10μa，电流非重复#浪涌50 60Hz Itsm为25A、30A，SCR类型为标准恢复型，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，额定重复关断状态电压VDRM为600 V，保持电流Ih Max为30 mA，栅极触发电压Vgt为1.5 V，栅极触发电流Igt为10 mA，且导通状态RMS电流It RMS为1A，且非重复导通状态电流为30A，且关断状态泄漏电流VDRM IDRM为0.01mA，且Vf正向电压为1.6V。
S6MR是DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S6，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为167 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，则反向极性，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，电流平均整流Io为6A。
S6Q是二极管GEN PURP 1.2KV 6A DO4，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如6 a、Ir反向电流等正向电流特性，设计为在10uA下工作，以及167 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为标准回收整流器，系列为S6，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），供应商装置包装为DO-4，单位重量为0.246918盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电压正向Vf Max If为1.1V@6A，Vr反向电压为1200V。
