9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR35100R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR35100R参考价格为15.36064美元。GeneSiC半导体MBR35100R封装/规格：DIODE SCHOTTKY REV 100V DO4。您可以下载MBR35100R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR350RLG是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD，包括MBR350系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为600μa@50V，电压正向Vf Max If为740mV@3A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，在9.4 A时Vf正向电压为1.08 V，Ir反向电流为600 uA，If正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为50 V，Ifsm正向浪涌电流为80 A。
MBR35100是DIODE SCHOTTKY 100V 35A DO4，包括100V Vrm重复反向电压，它们设计为在840mV@35A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表说明中显示了用于100V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.88 V等Vf正向电压特性，该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBR35系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 A，If正向电流为35 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1.5mA@220V，电流平均整流Io为35A。
MBR350RL是二极管肖特基50V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在600μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-201AA、DO-27、，轴向包装箱，该设备也可用于胶带和卷筒（TR）包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有50V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为740mV@3A。
