9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR3540R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR3540R参考价格为15.36064美元。GeneSiC半导体MBR3540R封装/规格：DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4。您可以下载MBR3540R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MBR3540R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MBR3535R是二极管肖特基REV 35V DO4，包括MBR35系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备在DO-4供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为1.5mA@20V，电压正向Vf Max If为680mV@35A，电压直流反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为1 uA；如果正向电流为35 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为600 A。
MBR3540是DIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在35A电压正向Vf Max时以680mV运行。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.75 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBR35系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 A，If正向电流为35 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1.5mA@220V，电流平均整流Io为35A。
MBR3535是二极管肖特基35V 35A DO4，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在1.5mA@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供底座、螺柱安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，以及DO-203AA、DO-4，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-4供应商设备包中提供，该设备具有35V电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为680mV@35A。
