9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR3545R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR3545R参考价格为15.36064美元。GeneSiC半导体MBR3545R封装/规格:DIODE SCHOTTKY REV 45V DO4。您可以下载MBR3545R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR3540R是二极管肖特基REV 40V DO4,包括MBR35系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如0.246918盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-203AA、DO-4、螺柱封装盒,该设备也可作为Si技术使用。此外,安装类型为底座、螺柱安装,该设备在DO-4供应商设备包中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为肖特基二极管,反向极性,电流反向泄漏Vr为1.5mA@20V,电压正向Vf Max If为680mV@35A,电压直流反向Vr Max为40V,电流平均整流Io为35A,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为0.75 V,Ir反向电流为1 uA;如果正向电流为35 A,Vrm重复反向电压为40 V,Ifsm正向浪涌电流为600 A。
MBR3540是DIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4,包括40V Vrm重复反向电压,它们设计为在35A电压正向Vf Max时以680mV运行。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max,其提供了0.75 V等Vf正向电压特性,单位重量设计为0.246918盎司,该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该设备为MBR35系列,该设备具有肖特基二极管产品,包装为散装,包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱,其工作温度接合范围为-55°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为底盘、螺柱安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为1 uA,Ifsm正向浪涌电流为600 A,If正向电流为35 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为1.5mA@220V,电流平均整流Io为35A。
MBR3545是二极管肖特基45V 35A DO4,包括35A电流平均整流Io,它们设计为在1.5mA@20V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,该肖特基提供如35A的正向电流特性,Ifsm正向浪涌电流设计为600 a,以及1 uA Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,该设备为底盘螺柱安装型,该设备具有安装型通孔,其工作温度连接范围为-55℃~150℃,包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱,包装为散装,产品为肖特基二极管,系列为MBR35,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包为DO-4,技术为Si,单位重量为0.246918oz,Vf正向电压为0.75V,电压DC反向Vr Max为45V,电压正向Vf Max If为680mV@35A,Vrm重复反向电压为45V。