9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR80100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR80100参考价格为21.16800美元。GeneSiC半导体MBR80100封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5。您可以下载MBR80100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR7H45HE3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-2，以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@45V，电压正向Vf Max If为630mV@7.5A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7.5A，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，15 A时Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为7.5 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBR7H60HE3/45是DIODE SCHOTKY 60V 7.5A TO220AC，包括60V Vrm重复反向电压，它们设计为在730mV@7.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于60V的电压直流反向Vr Max，它提供了15A时0.87V的正向电压特性，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-2，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65C，它的最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为50 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为7.5 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μA@60V，电流平均整流Io为7.5A，配置为单一。
MBR7H60-E3/45是二极管肖特基60V 7.5A TO220AC，包括单一配置，它们设计用于7.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50μa@60V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计用于7.5 a，以及150 a Ifsm正向浪涌电流，该设备也可作为50 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，该设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，包装箱为TO-220-2，包装为管，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备封装为TO-220AC，技术为Si，单位重量为6g，15A时Vf正向电压为0.87V，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为730mV@7.5A，Vrm重复反向电压为60V。
