9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR8020，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR8020参考价格为21.16800美元。GeneSiC半导体MBR8020封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5。您可以下载MBR8020英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR7H60HE3/45是DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-2，以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AC，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@60V，电压正向Vf Max If为730mV@7.5A，电压反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为7.5A，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，15 A时Vf正向电压为0.87 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为7.5 A，Vrm重复反向电压为60 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBR80100R是DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5，包括100V Vrm重复反向电压，它们设计为在840mV@80A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了0.88V等Vf正向电压特性，该设备也可以用作DO-5供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBR80系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为1000 A，Ifs正向电流为80 A，二极管类型为肖特基，反向极性，电流反向泄漏Vr为5mA@220V，电流平均整流Io为80A。
MBR80100是二极管肖特基100V 80A DO5，包括80A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供了如80A的正向电流特性，Ifsm正向浪涌电流设计为1000A，以及1 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有安装型螺柱，其工作温度接合范围为-55℃~150℃，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，包装为散装，产品为肖特基二极管，系列为MBR80，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备封装为DO-5，技术为Si，单位重量为1.005308 oz，Vf正向电压为0.88 V，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为840mV@80A，Vrm重复反向电压为100 V。
