9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR8040，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR8040参考价格为21.16800美元。GeneSiC半导体MBR8040封装/规格：二极管肖特基40V 80A DO5。您可以下载MBR8040英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR8030R是二极管肖特基REV 30V DO5，包括MBR80系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备在DO-5供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为1mA@30V，电压正向Vf Max If为750mV@80A，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为80A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为80 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为1000 A。
MBR8035R是DIODE SCHOTTKY REV 35V DO5，包括35V Vrm重复反向电压，它们设计为在750mV@80A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表注释中显示了35V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了0.75 V等Vf正向电压特性，该设备也可以用作DO-5供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBR80系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为1000 A，Ifs正向电流为80 A，二极管类型为肖特基，反向极性，电流反向泄漏Vr为1mA@35V，电流平均整流Io为80A。
MBR8035是二极管肖特基35V 80A DO5，包括80A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@35V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供了如80A的正向电流特性，Ifsm正向浪涌电流设计为1000A，以及1 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有安装型螺柱，其工作温度连接范围为-65℃~150℃，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，包装为散装，产品为肖特基二极管，系列为MBR80，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-5，技术为Si，单位重量为1.005308 oz，Vf正向电压为0.75 V，电压DC反向Vr Max为35 V，电压正向Vf Max If为750mV@80A，Vrm重复反向电压为35 V。
