9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRH12080R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRH12080R参考价格60.03750美元。GeneSiC半导体MBRH12080R封装/规格：DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67。您可以下载MBRH12080R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRH12060R是二极管模块60V 120A D-67，包括MBRH120系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.058219盎司，安装样式设计用于通孔，以及D-67封装盒，该设备也可作为硅技术使用。此外，安装类型为底盘安装，该设备在D-67供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为4mA@220V，电压正向Vf Max If为750mV@120A，电压直流反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为120A，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为0.8 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为120 A，Vrm重复反向电压为60 V，Ifsm正向浪涌电流为2000 A。
MBRH12080是二极管模块80V 120A D-67，包括80V Vrm重复反向电压，它们设计为以840mV@120V电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了80V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了0.88 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为1.058219盎司，以及Si技术，该设备也可以用作D-67供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBRH120系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为D-67，安装方式为通孔，安装类型为底盘安装，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+175℃，Ir反向电流为1uA，Ifsm正向浪涌电流为2000A，如果正向电流为120A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为4mA@220V，电流平均整流Io为120A。
MBRH12060是二极管模块60V 120A D-67，包括120A电流平均整流Io，它们设计为在4mA@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，该肖特基提供如120 a的正向电流特性，Ifsm正向浪涌电流设计为在2000 a下工作，以及1 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，该设备为底盘安装式，该设备具有安装式通孔，包装箱为D-67，包装为散装，产品为肖特基二极管，系列为MBRH120，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商器件封装为D-67，技术为Si，单位重量为1.058219 oz，Vf正向电压为0.8 V，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为750mV@120A，Vrm重复反向电压为60 V。
