9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRH200100R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRH200100R参考价格为70.38139美元。GeneSiC半导体MBRH200100R封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67。您可以下载MBRH200100R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRH200100是二极管模块100V 200A D-67，包括MBRH200系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.058219盎司，安装样式设计用于通孔，以及D-67封装盒，该器件也可用作硅技术。此外，安装类型为底盘安装，该设备在D-67供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5mA@220V，电压正向Vf Max If为840mV@200A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为200A，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为0.88 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为200 A，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为3000 A。
MBRH15045RL带用户指南，包括600mV@150A电压正向Vf Max，如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了D-67中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，包装设计为散装工作，以及D-67包装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，二极管类型为肖特基，反向极性，该器件提供5mA@45V电流反向泄漏Vr，该器件具有150A电流平均整流Io。
带电路图的MBRH15045L，包括150A电流平均整流Io，它们设计为在5mA@45V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装类型功能，如机箱安装，封装盒设计为在D-67中工作，以及散装封装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，供应商设备包为D-67，该设备提供45V电压DC反向Vr Max，该设备具有600mV@150A电压正向Vf Max If。
