9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRH20030,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRH20030参考价格为70.38139美元。GeneSiC半导体MBRH20030封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 200A D-67。您可以下载MBRH20030英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRH20020R是二极管模块20V 200A D-67,包括MBRH200系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如1.058219盎司,安装样式设计用于通孔,以及D-67封装盒,该设备也可作为硅技术使用。此外,安装类型为底盘安装,该设备在D-67供应商设备包中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为肖特基二极管,反向极性,电流反向泄漏Vr为5mA@20V,电压正向Vf Max If为650mV@200A,电压直流反向Vr Max为20V,电流平均整流Io为200A,其最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-40℃,Vf正向电压为0.7 V,Ir反向电流为1 uA,If正向电流为200 A,Vrm重复反向电压为20 V,Ifsm正向浪涌电流为3000 A。
MBRH20020RL带有用户指南,其中包括580mV@200mA正向电压Vf Max。如果设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了D-67中使用的供应商设备包,该设备包提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,包装设计为散装工作,以及D-67包装箱,该设备也可以用作底盘安装型。此外,二极管类型为肖特基,反向极性,该器件提供3mA@20V电流反向泄漏Vr,该器件具有200A电流平均整流Io。
带电路图的MBRH20020L,包括200A电流平均整流Io,它们设计为在3mA@20V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供安装类型功能,如底盘安装,封装盒设计为在D-67中工作,以及散装封装,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,供应商设备包为D-67,该设备提供20V电压DC反向Vr Max,该设备具有580mV@200mA电压正向Vf Max If。