9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRH20080R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRH20080R参考价格为70.38139美元。GeneSiC半导体MBRH20080R封装/规格：DIODE SCHOTTKY 80V 200A D-67。您可以下载MBRH20080R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MBRH20080R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MBRH20060R是二极管模块60V 200A D-67，包括MBRH200系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.058219盎司，安装样式设计用于通孔，以及D-67封装盒，该器件也可作为硅技术使用。此外，安装类型为底盘安装，该设备在D-67供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为5mA@220V，电压正向Vf Max If为750mV@200A，电压直流反向Vr Max为60V，电流平均整流Io为200A，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为0.8 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为200 A，Vrm重复反向电压为60 V，Ifsm正向浪涌电流为3000 A。
MBRH20080是二极管模块80V 200A D-67，包括80V Vrm重复反向电压，它们设计为在840mV@200A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了80V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了0.88 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为1.058219盎司，以及Si技术，该设备也可以用作D-67供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBRH200系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为D-67，安装方式为通孔，安装类型为底盘安装，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+175℃，Ir反向电流为1uA，Ifsm正向浪涌电流为3000A，如果正向电流为200A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5mA@220V，电流平均整流Io为200A。
MBRH20060是二极管模块60V 200A D-67，包括200A电流平均整流Io，它们设计为在5mA@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，该肖特基提供如200A的正向电流特性，Ifsm正向浪涌电流设计为工作在3000A，以及1 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，该设备为底盘安装式，该设备具有安装式通孔，包装箱为D-67，包装为散装，产品为肖特基二极管，系列为MBRH200，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商器件封装为D-67，技术为Si，单位重量为1.058219 oz，Vf正向电压为0.8 V，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为750mV@200A，Vrm重复反向电压为60 V。
