9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBR3545，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR3545参考价格22.07000美元。GeneSiC半导体MBR3545封装/规格：二极管肖特基45V 35A DO4。您可以下载MBR3545英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBR3535R是二极管肖特基REV 35V DO4，包括MBR35系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备在DO-4供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为1.5mA@20V，电压正向Vf Max If为680mV@35A，电压直流反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为1 uA；如果正向电流为35 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为600 A。
MBR3540R是DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在35A电压正向Vf Max时以680mV运行。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.75 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为MBR35系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为600 A，Ifs正向电流为35 A，二极管类型为肖特基，反向极性，电流反向泄漏Vr为1.5mA@220V，电流平均整流Io为35A。
MBR3540是二极管肖特基40V 35A DO4，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在1.5mA@20V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供了如35A的正向电流特性，Ifsm正向浪涌电流设计为在600A下工作，以及1 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度连接范围为-55℃~150℃，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，包装为散装，产品为肖特基二极管，系列为MBR35，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-4，技术为Si，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为0.75V，电压DC反向Vr Max为40V，电压正向Vf Max If为680mV@35A，Vrm重复反向电压为40V。
