9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MBRH120200R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRH120200R参考价格为60.31769美元。GeneSiC半导体MBRH120200R封装/规格：DIODE SCHOTTKY 200V 120A D-67。您可以下载MBRH120200R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MBRH120200R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MBRH120100R是二极管模块100V 120A D-67，包括MBRH120系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.058219盎司，安装样式设计用于通孔，以及D-67封装盒，该设备也可作为硅技术使用。此外，安装类型为底盘安装，该设备在D-67供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基二极管，反向极性，电流反向泄漏Vr为4mA@220V，电压正向Vf Max If为840mV@120A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为120A，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为0.88 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为120 A，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为2000 A。
MBRH120150和用户指南，包括880mV@120A正向电压Vf Max，如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-67中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为批量工作，以及D-67包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为底盘安装，该器件采用肖特基二极管类型，该器件在150V时具有1mA的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为120A。
带电路图的MBRH120150R，包括120A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@150V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供底座安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，以及D-67封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在D-67供应商设备包中提供，该设备具有150V的电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为880mV@120A。
