9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGL41G/1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGL41G/1参考价格0.644美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGL41G/1包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB。您可以下载RGL41G/1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RGL41DHE3/96是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为150ns。
RGL41DHE3/97是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AB的供应商设备包，该DO-213AA提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
RGL41G，电路图由VISHAY制造。RGL41G采用SOD80封装，是单级二极管、整流器的一部分。
