9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB1045TRR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB1045TRR参考价格为0.366美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBRB1045TRR封装/规格:DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK。您可以下载MBRB1045TRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB1045T4G是二极管肖特基45V 10A D2PAK,包括开关模式?系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供零件别名功能,如MBRB1045G,单位重量设计为0.070548盎司,以及SMD/SMT安装样式,该设备也可用作to-263-3、D2Pak(2引线+标签)、to-263AB封装盒。此外,该技术为Si,该器件为表面安装型,该器件具有供应商器件封装的D2PAK,配置为单双阳极,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为100μa@45V,电压正向Vf Max If为840mV@20A,电压反向Vr Max为45V,电流平均整流Io为10A,工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,20 A时Vf正向电压为0.84 V,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为10 A,Vrm重复反向电压为45 V,Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBRB1045HE3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB,包括45 V Vrm重复反向电压,它们设计为在20A电压正向Vf Max时以840mV的电压工作。如果数据表备注中显示了用于45V的电压直流反向Vr Max,它提供了20 a时0.84 V的正向电压特性,单位重量设计为1380 g,以及Si技术,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该器件采用肖特基整流器产品,该器件具有胶带和卷轴(TR)交替封装,封装外壳为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,它的最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为100 uA,Ifsm正向浪涌电流为150 A,如果正向电流为10 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为100μA@45V,电流平均整流Io为10A,配置为单双阴极。
MBRB1045TRL是二极管肖特基45V 10A D2PAK,包括10A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@45V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及to-263-3,D2Pak(2引线+接线片),TO-263AB包装盒,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,速度快速恢复=200mA(Io),该设备在D2PAK供应商设备包中提供,该设备具有45V的电压DC反向Vr Max,电压正向Vf Max If为840mV@20A。