9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N916A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N916A参考价格为0.396美元。onsemi 1N916A包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35。您可以下载1N916A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N916_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@10mA，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N916是DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
1N914UR是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA，包括4pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作DO-213AA封装盒。此外，包装为散装，设备提供20ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.2V@50mA。
