9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MBR120ESFT3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR120ESFT3参考价格为0.242美元。onsemi MBR120ESFT3包装/规格：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L。您可以下载MBR120ESFT3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBR120ESFT1G是DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L，包括MBR120ES F系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如MBR120ESD 3G，单位重量设计为0.000413盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作SOD-123F包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有SOD-123L供应商器件封装，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@220V，电压正向Vf Max If为530mV@1A，电压反向Vr Max为20V，电流平均整流Io为1A，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，2 A时Vf正向电压为0.595 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为20 V，Ifsm正向浪涌电流为40A。
MBR120ESFT1是DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L，包括530mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-123L的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有10μa@220V的反向漏电Vr，电流平均整流Io为1A。
MBR12080CTR是肖特基二极管和整流器SI PWR Schottky 2TWR 20-100V 120A 80P56RV，包括120 A正向电流，它们设计为在800 A Ifsm正向浪涌电流下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于1 uA，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作模块封装盒。此外，封装为散装，该器件为肖特基二极管产品，该器件具有MBR120系列，技术为Si，Vf正向电压为0.88 V，Vrm重复反向电压为80 V。
