9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MBRB1045T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB1045T4参考价格为0.60000美元。onsemi MBRB1045T4包装/规格：DIODE SCHOTTKY 10A 45V D2PAK。您可以下载MBRB1045T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRB1045G是二极管肖特基45V 10A D2PAK，包括开关模式？系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，提供零件别名功能，如MBRB1045T4G，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可用作to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的D2PAK，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@45V，电压正向Vf Max If为840mV@20A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为10A，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，20 A时Vf正向电压为0.84 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBRB1045HE3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为在20A电压正向Vf Max时以840mV的电压工作。如果数据表备注中显示了用于45V的电压直流反向Vr Max，它提供了20 a时0.84 V的正向电压特性，单位重量设计为1380 g，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@45V，电流平均整流Io为10A，配置为单双阴极。
MBRB1045HE3/45是二极管肖特基45V 10A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@45V，提供二极管类型功能，如肖特基，如果正向电流设计为工作在10A，以及150 a Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作100 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~150°C，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为1380g，在20A时Vf正向电压为0.84V，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为840mV@20A，Vrm重复反向电压为45V。
MBRB1045-G-T4，带有SSG制造的EDA/CAD模型。MBRB1045-G-T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
