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1N914BWT

描述:二极管种类: 标准最大直流反向电压 (Vr): 75 V 整流平均值 (Io): 200毫安反向恢复时长 (trr): 4纳秒供应商设备包装: SOD-523F 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
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起订量: 5500

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单价: ¥0.14486
数量:
- +
总计: ¥796.72

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
工作结温 -55摄氏度~150摄氏度
速度小信号=＜200毫安（Io），任何速度
整流平均值 (Io) 200毫安
二极管种类标准
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1 V @ 100 mA
反向恢复时长 (trr) 4纳秒
反向漏电流 @ 直流反向电压 5 A @ 75 V
电容@Vr、法数 4皮法 @ 0V, 1MHz
制造厂商
最大直流反向电压 (Vr) 75 V
包装/外壳 SC-79，SOD-523F
供应商设备包装 SOD-523F
特点 -
电源电压 24伏直流电

1N914BWT 产品详情

1N914BWT是一种高电导快速开关小信号二极管，带有哑光镀锡引线端子和绿色模具化合物外壳。本产品通用，适用于许多不同的应用。

特色

快速切换装置（TRR<4.0ns）
扁平导线，表面安装装置，高度低于0.70mm
外形极小的塑料包装SOD523F
湿度等级灵敏度1
无铅版本

1N914BWT 相关器件

型号	制造商	描述	价格
1N9C	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	种类: 螺旋缠绕材质: 聚酰胺（PA6）、尼龙6 长: 100'（30.48米）特点: 耐酸、耐化学、自熄色彩/颜色: 自然的	¥402.3431
1N973A	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 33伏最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥14.4858
1N975B-1	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 39伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.44951
1N971BE3/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 27伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥18.25211
1N970B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 24伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N984B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 91 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N966BE3	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 16伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N980B/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥15.75338
1N967BE3/TR	微芯 (Microchip)	标称齐纳电压 (Vz): 18伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA）工作温度: -65摄氏度~175摄氏度	¥24.87951
1N959B TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ）	¥0.56806

1N914BWT所属分类：单整流二极管，1N914BWT 由设计生产，可通过久芯网进行购买。1N914BWT价格参考￥0.144858，你可以下载 1N914BWT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N914BWT规格参数、现货库存、封装信息等信息！