9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGF1KHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGF1KHE3/67A参考价格为0.47美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGF1KHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA。您可以下载RGF1KHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGF1K是DIODE GEN PURP 800V 1A SMA，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了RGF1K_NL中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA（DO-214AC），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，Pd功耗为1.76W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为800V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为500ns。
RGF1K-E3/67A是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在800V直流反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214BA（GF1），提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及500ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz。
RGF1K-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。RGF1K-E3/61T采用DO-214AC/SMA封装，是IC芯片的一部分。
