9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SDT10S60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SDT10S60参考价格0.198美元。Infineon Technologies SDT10S60封装/规格：二极管肖特基600V 10A TO220-2。您可以下载SDT10S60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SDT10S30是二极管肖特基300V 10A TO220-2，包括thinQ！？系列，它们设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-2，提供安装型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于PG-TO220-2，以及无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备也可用作碳化硅肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@300V，该器件提供1.7V@10A电压正向Vf Max。如果，该器件具有300V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为10A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为600pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SDT08S60是DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2，包括1.7V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于PG-TO220-2的供应商设备包，该产品具有无恢复时间>500mA（Io）等速度特性，系列设计为在薄型Q！？，以及0ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-2，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为300μa@600V，电流平均整流Io为8A（DC），电容Vr F为280pF@0V，1MHz。
SDT0804T-4R7M-N，电路图由CHILISIN制造。SDT0804T-4R7M-N采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
