9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI1401HE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI1401HE3/45参考价格0.674美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI1401HE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC。您可以下载GI1401HE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GI1401-E3/45是DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，正向电压Vf Max If为975mV@8A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为35ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为35 ns。
GI1-1600GPHE3/73是DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AC，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1600V（1.6KV）直流反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AC（DO-15），其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及1.5μs的反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-204AC、DO-15、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@1600V，电流平均整流Io为1A。
GI1182-R，电路图由GTM制造。GI1182-R采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
