9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UB8DT-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UB8DT-E3/8W参考价格为1.148美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UB8DT-E3/8W封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB。您可以下载UB8DT-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UB8CT-E3/8W是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.063493盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，正向电压Vf Max If为1.02V@8A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为20ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.02 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为20 ns。
UB8CT-E3/4W是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1.02V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于150V的直流反向电压Vr Max，提供1.02 V等正向电压特性，单位重量设计为0.063493盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为20ns，该设备提供20ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为8A，并且配置为单双阴极。
UB8DT-E3/4W是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于8 a，以及10 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为100 A，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为20ns，反向恢复时间trr为20ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，单位重量为0.063493 oz，Vf正向电压为1.02V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.02V@8A，Vr反向电压为200V。
