9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3JHE3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3JHE3/9AT参考价格为0.296美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3JHE3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载S3JHE3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3J-E3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装。数据表注释中显示了用于S3J-E3/57T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，2.5A时Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
S3JHE3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3J-F，带有LITEON制造的电路图。S3J-F采用SMCDO-214AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
