9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S4PBHM3/87A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S4PBHM3/87A参考价格为0.482美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S4PBHM3/87A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A。您可以下载S4PBHM3/87A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S4N1RP是SCR NON-SENS 400V 1A DO-214，包括SxN1系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB（3引线）、Compak，其工作温度范围为-40°C~125°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为Compak，该设备提供30mA电流保持Ih Max，该设备具有400V电压关断状态，电压门触发器Vgt Max为1.5V，电流门触发器Igt Max为10mA，电压开状态Vtm Max为1.6V，电流开状态It AV Max为640mA，电流开态It RMS Max为1A，电流关断状态Max为10μa，电流非重复#浪涌50 60Hz Itsm为25A、30A，SCR类型为标准恢复型，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，额定重复关断状态电压VDRM为400 V，保持电流Ih Max为30 mA，栅极触发电压Vgt为1.5 V，栅极触发电流Igt为10 mA，且导通状态RMS电流It RMS为1A，且非重复导通状态电流为30A，且关断状态泄漏电流VDRM IDRM为0.01mA，且Vf正向电压为1.6V。
S4PBHM3/86A是DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A，包括1.1V@4A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2.5μs反向恢复时间trr之外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为4A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
S4NF100带有ST制造的电路图。S4NF100可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
