9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CURMT106-HF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。CURMT106-HF价格参考1.698美元。Comchip Technology CURMT106-HF封装/规格:DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H。您可以下载CURMT106-HF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如CURMT106-HF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
CURMT104-HF是DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H,包括CURMT104系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.001058盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SOD-123H包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SOD-123H,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,电压正向Vf Max If为1.3V@1A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为50ns,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为1.3 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为150 uA,If正向电流为1 A,最大浪涌电流为25 A,恢复时间为50 ns。
CURMT103-HF是DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H,包括200V Vr反向电压,它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max,该200V提供Vf正向电压功能,例如1 V,单位重量设计为0.001058盎司,以及SOD-123H供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,该系列为CURMT103,该器件提供50ns反向恢复时间trr,该器件具有50ns的恢复时间,产品为超快恢复整流器,包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为SOD-123H,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为25 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为150 uA,如果正向电流为1 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μA@200V,电流平均整流Io为1A。
CURMT105-HF是二极管GEN PURP 600V 1A SOD123H,包括70pF@4V,1MHz电容Vr F,设计用于1A(DC)电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr,如数据表注释所示,用于5μa@600V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供75ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为SOD-123H,直流反向电压Vr最大值为600V,正向电压Vf最大值为1.7V@1A。