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IDB30E60ATMA1是DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供PG-TO263-3-2等供应商设备封装功能,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作50μA@600V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为2V@30A,该器件提供600V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有52.3A(DC)的平均整流电流Io,反向恢复时间trr为126ns,其工作温度结范围为-40°C~175°C。
IDB30E60是INFINEON制造的二极管GEN PURP 600V 52.3A TO263。IDB30E60提供TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持二极管GEN PURP 600V 52.3A TO263。
IDB45E60是由infinion制造的二极管GEN PURP 600V 71A TO263-3。IDB45E60提供TO-263-3,D²Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持二极管GEN PURP 600V 71A TO263-3。