9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS8PH9HM3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS8PH9HM3/86A参考价格为0.452美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS8PH9HM3/86A封装/规格：DIODE SCHOTTKY 90V 8A TO277A。您可以下载SS8PH9HM3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS8PH10-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-277，3-PowerDFN封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用TO-277A（SMPC）供应商设备包提供，该设备具有单双阳极配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@8A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为140pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.9 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
SS8PH9-E3/86A是DIODE SCHOTKY 90V 8A TO277A，包括900mV@8A电压正向Vf Max。如果设计为90V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于to-277A（SMPC），提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，该器件也可用作TO-277，3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@90V，电流平均整流Io为8A。
SS8PH9-E3/87A是二极管肖特基90V 8A TO277A，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@90V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及to-277，3-PowerDFN包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列是eSMPR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为90V，电压正向Vf Max If为900mV@8A。
