9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH3DHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH3DHE3_A/H参考价格为1.802美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH3DHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载UH3DHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH3D-E3/9AT是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.05V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为40 ns。
带用户指南的UH3C-M3/9AT，包括1.05V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为40ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为42pF@4V，1MHz。
UH3D-E3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AB，SMC包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，反向恢复时间trr为40ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-214AB（SMC）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@3A。
