9icnet为您提供由英飞凌技术公司设计和生产的IDB23E60TMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDB23E60ATMA1参考价格为0.64000美元。英飞凌科技IDB23E60TMA1封装/规格：DIODE GP 600V 41A TO263-3-2。您可以下载IDB23E60ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IDB18E120ATMA1是DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供PG-TO263-3等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为2.15V@18A，该设备提供1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，该设备具有31A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为195ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
IDB15E60是DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263，包括2V@15A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-TO263-3的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为87ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为29.2A（DC）。
IDB18E120是由INF制造的DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3。IDB18E1 20有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是二极管、整流器-单个的一部分，并支持DIODE GENPURP 1.2KV31A TO263-3。
