9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDV30E60C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDV30E60C参考价格为10.672美元。Infineon Technologies IDV30E60C封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP。您可以下载IDV30E60C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IDV20E65D1XKSA1带有引脚细节，包括卡套管包装，它们设计为与IDV20E55D1 SP001170102零件别名一起工作，数据表注释中显示了to-220-2全包装中使用的包装箱，该包装箱提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包装设计为在PG-TO220-2全包装中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为40μA@650V，该器件提供1.7V@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有650V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为28A（DC），反向恢复时间trr为42ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 175°C。
IDV15E65D2XKSA1带有用户指南，包括2.2V@15A电压正向Vf Max。如果设计为在650V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为47ns，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-40°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为40μa@650V，电流平均整流Io为15A。
IDV08E65D2XKSA1，带有电路图，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在650V电流反向泄漏Vr下工作40μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~175°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为40ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220-2，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为2.3V@8A。
