9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURD8530T4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SURD8530T4G参考价格为0.40000美元。onsemi SURD8530T4G包装/规格：DIODE GEN PURP 300V 5A DPAK。您可以下载SURD8530T4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SURD8320T4G是DIODE GEN PURP 200V 3A DPAK，包括MURD320系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及DPAK-3供应商设备封装，该装置也可以用作单双阳极配置。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在200V时电流反向泄漏Vr为5μa，正向电压Vf Max If为950mV@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为950 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为75 A，恢复时间为35 ns。
SURD8330T4G是DIODE GEN PURP 300V 3A DPAK，包括1.15V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在300V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DPAK-3中使用的供应商设备包，该DPAK-3提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在SWITCHMODE？下工作？，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电流平均整流Io为3A。
SURBC2030是Tripp Lite制造的240VDC内部电池组。是电池组的一部分，并支持电池组240VDC内部电池组，内部电池组-兼容SELECT SMARTONLINE 20KVA和30KVA三相UPS系统。
