9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB1645HE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB1645HE3/81参考价格为0.58美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBRB1645HE3/81封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB。您可以下载MBRB1645HE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB1645-E3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该器件也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@45V，电压正向Vf Max If为630mV@16A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为16A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.63 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为16 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBRB1645-E3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为以630mV@16A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于45V的直流反向电压Vr Max，提供0.63 V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有管交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为200μA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为16 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μA@45V，电流平均整流Io为16A，配置为单一。
MBRB1645HE3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB，包括单一配置，它们设计用于16A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200μa@45V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计用于16A，以及150A Ifsm正向浪涌电流，该器件还可以用作200 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~150°C，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为0.048678 oz，Vf正向电压为0.63 V，电压DC反向Vr Max为45 V，电压正向Vf Max If为630mV@16A，Vrm重复反向电压为45 V。
