9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURS8260T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SURS8260T3G参考价格为0.39美元。onsemi SURS8260T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 2A SMB。您可以下载SURS8260T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SURS8220T3G是DIODE GP ULT FAST 200V 2A SMB，包括MURS220系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，正向电压Vf Max If为950mV@2A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为50 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为25 ns。
SURS8210T3G是DIODE GEN PURP 100V 2A SMB，包括940mV@2A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于MURS210，以及30ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-60°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@50V，电流平均整流Io为2A。
SURS8205T3G是DIODE GEN PURP 50V 2A SMB，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-60°C~175°C，以及DO-214AA，SMB封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在MURS205系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMB，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为940mV@2A。
