9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB745HE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB745HE3/81参考价格为0.488美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBRB745HE3/81封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB。您可以下载MBRB745HE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB745-E3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，其中包括肖特基整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于MBRB745-E3/45，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@45V，电压正向Vf Max If为840mV@15A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7.5A，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，15 A时Vf正向电压为0.84 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为7.5 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
MBRB745-E3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为以840mV@15A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于45V的电压直流反向Vr Max，它提供了15 a时0.84 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有零件别名MBRB745-E3/81，封装为管交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100μA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，Ifs正向电流为7.5 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为100μA@45V，平均整流电流Io为7.5 A，并且配置是单一的。
MBRB745HE3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，包括单一配置，它们设计用于7.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@45V，提供二极管类型的功能，如肖特基，如果正向电流设计用于7.5 a，以及150 a Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作100 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~150°C，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为0.048678 oz，15 A时Vf正向电压为0.84 V，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为840mV@15A，Vrm重复反向电压为45V。
