9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MBRB7H50HE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRB7H50HE3/81参考价格1.134美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MBRB7H50HE3/81封装/规格：DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB。您可以下载MBRB7H50HE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB7H45HE3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备采用单双阴极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μa@45V，电压正向Vf Max If为630mV@7.5A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7.5A，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，15 A时Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为7.5 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBRB7H50-E3/81是DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB，包括50 V Vrm重复反向电压，它们设计为以730mV@7.5A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，它提供了15 a时0.87 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为50 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为7.5 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μA@50V，电流平均整流Io为7.5A，配置为单双阴极。
MBRB7H50-E3/31，带有VIHSAY制造的电路图。MBRB7H50-E3/31采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
