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SIDC06D120E6是DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作27μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.9V@5A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有5A（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
SIDC06D120F6是DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER，包括2.1V@5A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于锡箔锯的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及模具封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有27μa@1200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为5A（DC）。
SIDC05D60C6是二极管GEN PURP 600V 15A WAFER，包括15A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在27μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C ~ 175°C，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用Sawn箔上供应商设备包提供，该设备具有600V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.95V@15A。
