9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDB10S60CATMA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDB10S60CATMA2参考价格0.32000美元。英飞凌科技IDB10S60CATMA2封装/规格：DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK。您可以下载IDB10S60CATMA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IDB10S60C是二极管硅600V 10A D2PAK，包括thinQ！？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于D2Pak，以及无恢复时间>500mA（Io）速度，该器件也可以用作碳化硅肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为140μA@600V，该器件提供1.7V@10A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为10A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为480pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
IDB09E60ATMA1是DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263，包括2V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PG-TO263-3的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为75ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50μa@600V，电流平均整流Io为19.3A（DC）。
IDB09E120，带有INFINEON制造的电路图。IDB09E120在TO-263封装中提供，是IC芯片的一部分。
IDB09E60是INFINEON制造的二极管GEN PURP 600V 19.3A TO263。IDB09E60提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是二极管、整流器-单个的一部分，支持二极管GEN PURP 600V 19.3A TO263。
