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SIDC11D60SIC3是DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装盒一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在无恢复时间＞500mA（Io）下工作，以及碳化硅肖特基二极管类型，该器件还可以用作200μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.9V@4A，该器件提供600V电压DC反向Vr Max，该器件具有4A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为150pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SIDC14D120E6是DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER，包括1.9V@15A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于锯箔的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及模具封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有27μa@1200V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为15A（DC）。
SIDC14D120F6是DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER，包括15A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作27μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用Sawn on foil Supplier device Package提供，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为2.1V@15A。
