9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MBRS540PT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBRS540PT3G参考价格为4.226美元。onsemi MBRS540PT3G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC-2。您可以下载MBRS540PT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MBRS4201T3G是DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMC，包括MBRS4201系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SMC供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@200V，电压正向Vf Max If为860mV@4A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.8 V，Ir反向电流为0.35 uA，如果正向电流为4 A，Vrm重复反向电压为200 V，Ifsm正向浪涌电流为100A，trr反向恢复时间为35ns。
带用户指南的MBRS4201PT3G，包括860mV@4A电压正向Vf最大值。如果设计为在200V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了SMC中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为DO-214AB、SMC封装盒使用，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@200V，电流平均整流Io为4A。
MBRS4201T3是二极管肖特基200V 4A SMC，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及DO-214AB SMC封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SMC，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为860mV@4A。
MBRS4201T1G带有ON制造的EDA/CAD模型。MBRS4201T1G采用DO-214AC封装，是IC芯片的一部分。
