9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGP10ME-E3/91，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGP10ME-E3/91价格参考1.736美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGP10ME-E3/91包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载RGP10ME-E3/91英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGP10ME-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AL、DO-41、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-204AL（DO-41）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGP10ME-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及500ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
RGP10M-E3/73是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，该设备以500ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
